Читатели, интересующиеся судьбой перспективной памяти типа PRAM, помнят, что продвигающая эту разработку компания Numonyx зимой пообещала,
что в первом квартале текущего года начнутся поставки чипов плотностью
1 Гбит. По всей видимости, освоение новой технологии идет не совсем
гладко, поскольку в недавнем сообщении
Numonyx отрапортовала лишь о начале серийного выпуска микросхем Numonyx
Omneo PCM плотностью 128 Мбит. А ведь первые образцы этих изделий,
изготавливаемых по нормам 90 нм, были готовы у компании еще в 2008
году. Складывается впечатление, что разработка буксует на месте. Это впечатление обосновано. Проблема заключается в том, что
разработчикам не удается повысить плотность памяти из-за ограничений,
обусловленных самим устройством памяти типа PRAM. Таким образом,
надежды на то, что память PCM заменит одновременно память NAND, NOR и
DRAM, пока остаются надеждами. Если с памятью типа NOR конкурировать
получается, то с DRAM пока нет.
По-своему подошли к решению проблемы в компании Samsung Electronics.
Новый продукт, выпущенный южнокорейским электронным гигантом,
объединяет лучшее из двух типов памяти в буквальном смысле: в одном
корпусе упакованы кристаллы PRAM и DRAM. Многокристальная компоновка
(multi-chip package, MCP) таких чипов применена впервые в отрасли. В
конфигурацию изделия входит 512 Мбит памяти типа PRAM. Благодаря
обратной совместимости MCP с NOR на программном и аппаратном уровне,
упрощается работа разработчиков. Предполагается, что уже в текущем
квартале эти микросхемы начнут применяться в сотовых телефонах.
Активное вытеснение памятью PRAM флэш-памяти типа NOR в потребительской
электронике начнется в будущем году, полагают в Samsung. |